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中国5G芯片面临的主要挑战

作者: admin            发布时间: 2018-11-27            浏览:

目前,中国正在大力开展技术和工业化的前沿布局,在该领域取得积极进展,技术产业化进程正在加速。一方面,中国政府的发展高度重视中国的制造2025年、“十三五”国家信息化计划、信息通信产业发展规划、国家科技重大项目、产业转型升级基金、国家集成电路产业投资基金为5G支持环境提供了良好的发展。另一方面,中国企业和研究机构正在积极部署5G芯片。华为HiSilicon、展讯等公司正在加速开发5G基带芯片;开发了PA、滤波器等5G高频设备; Sanan Optoelectronics、 Hite高科技和其他公司在化合物半导体代工领域取得了突破。经过长期的积累,中国的集成电路产业在移动芯片领域取得了长足的进步,但5G面临的瓶颈问题依然突出。

国内5G芯片产品开发面临国外专利封锁,一些关键核心技术缺失。例如,国外RF芯片和器件技术非常成熟,特别是用于高频应用的BAW和FBAR滤波器。 Broadcom、Qorvo等公司已经积累了多年的技术。中国的BAW和FBAR专利储备非常薄弱,自主研发面临许多障碍。

中国5G芯片面临的主要挑战

国内5G芯片缺乏成熟的商业流程支持,整体水平落后于世界领先水平超过两代。 GaAs、氮化镓等化合物半导体代工市场主要稳定、宏杰科技等台湾垄断垄断; Grofontein、TowerJazz等厂商在硅和硅绝缘材料技术领域处于领先地位。

支持5G芯片的关键设备和材料主要由海外企业控制。在设备方面,MOCVD是制造化合物半导体的关键核心器件,仍然由德国的艾斯强和美国Veeco主导,国内公司正在积极突破。在材料方面,日本住友公司代表的公司在化合物半导体材料领域具有明显的优势;法国Soitec和日本信越等公司在SOI晶圆材料方面的市场份额较高;用于包装的高端陶瓷基板材料基本上来自日本和台湾。区域进口。

目前,中国的5G芯片设计、制造、封装测试设备和其他产业链上下游协同效应不足,通信设备制造商与国外芯片厂商之间的合作惯性仍难以突破,国内芯片缺乏和软件、机器设备、系统应用、测试仪器与其他工业生态环节紧密相互作用。